电阻器筛选检测

发布时间：2024-06-21 作者：中析研究所浏览：

GB/T 1411-2002干固体绝缘材料耐高电压、小电流电弧放电的试验

本标准叙述的试验方法能够提供同类绝缘材料当其被暴露于高电压、小电流电弧放电时，它们之间耐受发生在紧靠表面损坏情况的初步差异。电弧放电引起局部热的和化学的分解与腐蚀并终在绝缘材料上形成导电通道。试验条件的严酷程度是逐渐增加的：开始几个阶段，小电流电弧放电反复中断，而到了后来几个阶段，电弧电流助剂增大。由于本试验方法操作方便和试验所需要的时间短，因此，它适用于材料初步筛选、检查材料组分变化的影响和质量控制检验。过去使用本试验方法的经验表明，热固性材料试验结果的再现性是可以接受的。而对热塑性材料，一些实验室报告表明，其试验结果出现不能接受的大的偏差，这就导致本推荐方法不能应用于热塑性材料的试验。通常，不允许只根据本试验方法就对一些材料的相对耐电弧等级作出结论，因为这些材料可能受制于其他类型的电弧作用。材料的相对耐电弧等级可能与那些由潮湿耐漏电起痕试验（例如IEC60112，IEC60587及IEC61302）获得的等级不同，也与材料在实际使用中的工作状况不同，因为在这些场合中，材料承受电弧放电的强度、重复频率以及时间等的差别很大。

GB/T 2900.99-2016电工术语可信性

GB/T 2900的本部分规定了可信性领域的通用术语。本部分适用于包括电工技术应用在内的可信性技术方面的所有领域。

GB/T 3788-1995真空电容器通用技术条件

本标准规定了真空电容器的技术要求和试验方法，以及检验规则、标志、包装、运输和贮存等的要求。本标准适用于固定的或可变的、陶瓷外壳或玻璃外壳的真空电容器（以下均简称为电容器）的设计、生产和使用。

GB/T 5094.1-2018工业系统、装置与设备以及工业产品结构原则与参照代号第1部分:基本规则

GB/T 5094的本部分规定了系统结构(包括系统信息结构)的一般原则。根据这些原则，提出了制定任一系统中项目(对象)参照代号的规则和指南。参照代号用以标识项目，以便于项目信息的生成和检索，了解项目对应的组件。标识组件的参照代号是在不同种类文件中寻找项目信息的关键。本部分所规定的原则是一般性的，适用于一切技术领域(例如机械工程、电气工程、建筑工程和物流工程)。它们可用于基于不同技术或综合几种技术的系统。

GB/T 6219-1998半导体器件分立器件第8部分;场效应晶体管第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。

GB/T 8976-1996膜集成电路和混合膜集成电路总规范

本总规范适用于膜集成电路和混合膜集成电路（F＆HFICs），包括GB/T16464-1996第Ⅳ章第2.4条中的无源和有源的F＆HFICs。本规范适用于供用户继续加工的半成品F＆HFICs，也适用于装有一个以上芯片的片式载体电路，而且这些芯片应作为分立的单元用膜互连技术互连起来。

GB/T 9178-1988集成电路术语

本标准规定了集成电路的生产制造、工程应用和贸易等中使用的基本术语。本标准适用于与集成电路有关的生产、工程、科研、教学和贸易等。

GB/T 10233-2016低压成套开关设备和电控设备基本试验方法

本标准规定了低压成套开关设备和电控设备（以下简称成套设备）型式试验和出厂试验的基本方法。本标准适用于GB 7251.1-2013和GB/T 3797所规定的试验项目。

GB/T 11498-2018半导体器件集成电路第21部分:膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)

《半导体器件　集成电路》的本部分适用于作为目录内电路或定制电路而制造的、其质量是以鉴定批准为基础评定的膜集成电路和混合膜集成电路。本部分的目的是为额定值和特性提供优先值，从总规范中选择合适的试验和测量方法，并且给出根据本部分制定的膜集成电路和混合膜集成电路详细规范使用的通用性能要求。优先值的概念直接应用于目录内电路，但是不必应用于定制电路。参照本部分制定的详细规范所规定的试验严酷等级和要求可等于或高于分规范的性能水平，不准许有更低的性能水平。同本部分相联系的有一个或多个空白详细规范，每个空白详细规范均给以编号。按照2.3规定填写空白详细规范，即构成一个详细规范。按IECQ体系的规定，该类详细规范可用于膜集成电路和混合膜集成电路鉴定批准的授与和质量一致性检验。