集成电路-MCU 芯片检测

发布时间：2024-06-21 作者：中析研究所浏览：

GB/T 2036-1994印制电路术语

本标准规定了印制电路技术的常用术语及其定义。本标准适用于印制电路用基材、印制电路设计与制造、检测与印制板装联及有关领域。

GB/T 2900.32-1994电工术语电力半导体器件

本标准规定了电力半导体器件的专用术语。本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译手册、教材及书刊。

GB/T 2900.66-2004电工术语半导体器件和集成电路

GB／T 2900的本部分界定了半导体技术、半导体设计和半导体类型的通用术语。

GB/T 3859.4-2004半导体变流器包括直接直流变流器的半导体自换相变流器

本部分适用于电力变流器中至少有一部分是自换相型的所有类型半导体自换相变流器。例如：交流变流器，间接直流变流器，直接直流变流器。 GB／T 3859．1中的要求，只要不与本部分相矛盾，也同样适用于自换相变流器。对于某些特殊应用，如不间断电源设备(UPS)，交、直流调速传动和电气牵引设备，可使用另外的标准。注：试验限制可适用于特殊应用，如大功率无功变流器。

GB/T 4023-2015半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管

本部分给出下列各类或各分类器件的标准：整流二极管包括：——雪崩整流二极管；——可控雪崩整流二极管；——快开关整流二极管。

GB/T 4475-1995敏感元器件术语

本标准规定了敏感元器件的术语及定义，包括热（温）敏、光敏、压敏、湿敏、气敏、磁敏、力敏、离子敏、生物敏、放射线敏和纤维光学敏感元器件11个部分。本标准适用于敏感元器件的生产、使用、科研和教学等方面，作为统一技术用语的依据。

GB/T 4589.1-2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范

本规范构成电工委员会电子元器件质量评定体系（IECQ）的一部分。本规范是半导体器件（分立器件和集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路）的总规范。本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序，并给出了下述方面的总原则： ——电特性测试方法； ——气候和机械试验； ——耐久性试验。

GB/T 4937.1-2006半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则

本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。当本部分与相应的详细规范有矛盾时，以详细规范为准。

GB/T 4937.11-2018半导体器件机械和气候试验方法第11部分:快速温度变化双液槽法

GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化——双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气-空气温度循环又可以采用快速温度变化——双液槽法试验时，优先采用空气-空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次~10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明，本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

GB/T 4937.12-2018半导体器件机械和气候试验方法第12部分:扫频振动

GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内，振动对器件的影响。本试验是破坏性试验，通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

GB/T 4937.13-2018半导体器件机械和气候试验方法第13部分:盐雾

GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法，以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。本试验是破坏性试验。本试验总体上符合IEC 60068-2-11，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

GB/T 4937.14-2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢固性)

GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法，用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲，为了重新装配对引线再成型加工时，进行此项试验。对于气密封装器件，建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验，以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。本部分的每一个试验条件，都是破坏性的，仅适用于鉴定试验。本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。

GB/T 4937.15-2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分:通孔安装器件的耐焊接热

GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法，以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。为制定具有可重复性的标准试验程序，选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力，要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。本试验为破坏性试验，可以用于鉴定、批接收及产品检验。本试验与IEC 60068-2-20基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

GB/T 4937.17-2018半导体器件机械和气候试验方法第17部分:中子辐照

GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下：a)　检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；b)　确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内(见第4章)。

GB/T 4937.18-2018半导体器件机械和气候试验方法第18部分:电离辐射(总剂量)

GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行<上标60>Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照，并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化，因而被认为是破坏性试验。

GB/T 4937.19-2018半导体器件机械和气候试验方法第19部分:芯片剪切强度

GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装，也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm<上标2>的芯片，以及倒装芯片和易弯曲基板。

GB/T 4937.20-2018半导体器件机械和气候试验方法第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。

GB/T 4937.21-2018半导体器件机械和气候试验方法第21部分:可焊性

GB/T 4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序，以及可选的SMDs板级安装可焊性试验程序，用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程。本试验方法也规定了老化条件，该条件为可选。除有关文件另有规定外，本试验属于破坏性试验。