欢迎访问中科光析科学技术研究所官网!
免费咨询热线
400-635-0567中文标准名称:碳化硅单晶片平整度测试方法
英文标准名称:Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
标准状态:现行
中国标准分类号:(CCS)H21
标准分类号:(ICS)77.040
发布日期:2015-12-10
实施日期:2017-01-01
主管部门:标准化管理委员会
归口单位:半导体设备和材料标准化技术委员会
北京天科合达蓝光半导体有限公司 、中国科学院物理研究所 。
陈小龙 、郑红军 、张玮 、郭钰 。
20120289-T-469 碳化硅单晶片平整度测试方法
20091221-T-469 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法
SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法
20091225-T-469 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 碳化硅单晶 碳化硅单晶位错密度的测试方法 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法