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半导体分立器件筛选稳态工作寿命检测项目报价? 解决方案? 检测周期? 样品要求? |
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半导体分立器件(如二极管、晶体管、晶闸管等)是电子系统的核心组件,其可靠性直接影响终端产品的性能和寿命。在航空航天、汽车电子、工业控制等高可靠性领域,器件的稳态工作寿命(SSOL, Steady-State Operating Life)成为筛选关键指标之一。稳态工作寿命检测旨在模拟器件在长期满载或接近满载工况下的性能退化规律,通过加速老化测试评估其失效模式、寿命分布及可靠性参数。这一过程不仅能够剔除早期失效产品,还可为设计优化和工艺改进提供数据支持,是保障器件批次一致性和长期稳定性的核心技术手段。
稳态工作寿命检测涵盖以下关键项目:
1. 高温反偏(HTRB)特性:评估器件在高温反向偏置电压下的漏电流变化
2. 高温栅偏(HTGB)试验:针对MOS器件栅极氧化层可靠性的加速老化测试
3. 高温工作寿命(HTOL):模拟实际工作负载下的电热应力综合作用
4. 参数漂移监测:包括阈值电压、导通电阻、开关速度等关键参数的长期稳定性
5. 失效机理分析:通过失效器件的解剖和微观分析定位工艺缺陷
完成稳态寿命检测需要仪器组合:
- 高低温试验箱(温度范围-65℃~+300℃)
- 半导体参数分析仪(Keysight B1500A/Tektronix 4200)
- 功率循环测试系统(CPS500/CTS600)
- 热阻测试仪(ThermoRiC T3Ster)
- 失效分析设备(SEM/EDX/FIB)
设备需满足JEDEC JESD22-A108标准规定的温度控制精度(±1℃)和电压稳定度(±0.1%)
标准检测流程分为四个阶段:
1. 预处理:器件在25℃下进行48小时老化预处理
2. 初始参数测试:记录所有电性参数基准值
3. 稳态应力加载:
- 温度设定:Tj=大结温×0.9(通常150-175℃)
- 施加电压:VCE=额定电压的80-90%
- 持续时间:1000小时(I类器件)或168小时(II类器件)
4. 中间测试与终点验证:每24小时监测参数漂移,终进行破坏性物理分析
行业普遍遵循以下标准规范:
- MIL-STD-750F Method 1039(美军标可靠性试验方法)
- JESD22-A108F(JEDEC固态技术协会标准)
- GJB 128A-97(国军标半导体器件试验方法)
- GB/T 4589.1-2006(半导体分立器件环境试验通用要求)
- AEC-Q101(汽车电子委员会分立器件认证标准)
其中AEC-Q101要求HTOL测试在150℃下进行1000小时,失效率需低于100FIT(失效次数/十亿器件小时)