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薄膜晶体管/场效应晶体管检测

发布日期: 2024-06-21 17:34:53 - 更新时间:2024年06月29日 15:22

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GB/T 249-2017半导体分立器件型号命名方法

本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。本标准适用于各种半导体分立器件。

GB/T 2900.32-1994电工术语 电力半导体器件

本标准规定了电力半导体器件的专用术语。 本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译手册、教材及书刊。

GB/T 2900.33-2004电工术语 电力电子技术

GB/T 2900的本部分规定了电力电子技术领域的术语及其定义,适用于电力电子技术的标准、书刊、文献、资料和技术活动。

GB/T 2900.66-2004电工术语 半导体器件和集成电路

GB/T 2900的本部分界定了半导体技术、半导体设计和半导体类型的通用术语。

GB/T 3859.1-2013半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-1部分:基本要求规范

GBT 3859的本部分规定了使用可控和(或)不可控电子阀器件的所有半导体电力变流器和半导体电力开关的性能。电子阀器件主要有半导体器件,包括不可控器件(即整流二极管)和可控器件(即各种晶闸管和功率晶体管)。可控器件可反向阻断或反向导通,可借助电流、电压或光控制。假设非双稳器件在开关状态下工作。本部分主要从总体上规定对变流器的基本要求,以及适用于把交流电变换为直流电或把直流电变换为交流电的电网换相变流器的要求。假如其他类型的电力电子变流器尚无产品标准,本部分的内容也适用。这些特定的要求适用于进行功率变换、换相(例如:半导体自换相变流器)或特殊用途(例如:直流电动机传动用半导体变流器 )的半导体电力变流器,或已知特性的组合(例如:电传动机车车辆用直接直流变流器)。本部分适用于未被专用产品标准涵盖或特殊性能未被专用产品标准涵盖的所有电力变流器。电力变流器的专用产品标准应参考本部分。

GB/T 4023-2015半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

本部分给出下列各类或各分类器件的标准:整流二极管包括:——雪崩整流二极管;——可控雪崩整流二极管;——快开关整流二极管。

GB/T 4475-1995敏感元器件术语

本标准规定了敏感元器件的术语及定义,包括热(温)敏、光敏、压敏、湿敏、气敏、磁敏、力敏、离子敏、生物敏、放射线敏和纤维光学敏感元器件11个部分。 本标准适用于敏感元器件的生产、使用、科研和教学等方面,作为统一技术用语的依据。

GB/T 4586-1994半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

通常,本标准需要与IEC 747-1-1983《半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则》一起使用。在IEC 747-1中,可找到下列的全部基础资料: --术语; --文字符号; --基本额定值和特性; --测试方法;

GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范

本规范构成电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的一部分。 本规范是半导体器件(分立器件和集成电路,包括多片集成电路,但不包括混合电路)的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序,并给出了下述方面的总原则: ——电特性测试方法; ——气候和机械试验; ——耐久性试验。

GB/T 6219-1998半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10:1984)和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》(IEC 747.11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。

GB/T 6589-2002半导体器件 分立器件 第3-2部分;信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列标准和IEC标准一起使用。 GB/T12560--1999半导体器件分立器件分规范(idt IEC 60747—11:1985) IEC 60747—10(QC 700000):1991 半导体器件第l0部分分立器件和集成电路总规范

GB/T 9002-2017音频、视频和视听设备及系统词汇

本标准界定了音频、视频和视听设备及系统范围内基础和常用词汇的中英文名称及定义,但不包括信号传输方面的词汇。本标准适用于音频、视频和视听设备及系统范围内基础和常用词汇的中英文名称及定义,其他领域可参照使用。

GB/T 9178-1988集成电路术语

本标准规定了集成电路的生产制造、工程应用和贸易等中使用的基本术语。 本标准适用于与集成电路有关的生产、工程、科研、教学和贸易等。

GB/T 10067.34-2015电热装置基本技术条件 第34部分:晶体管式高频感应加热装置

GB/T 10067的本部分规定了晶体管式高频感应加热装置的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、等级划分、标志、包装、运输、贮存及订购和供货等。本部分适用于采用晶体管式高频电源作为供电的,主要用于对金属工件进行热处理(如表面淬火、回火、退火等)的感应加热装置。本部分也可供用于对金属工件和金属材料进行透热、熔炼和焊接等的晶体管式高频感应加热装置参考。

GB/T 11499-2001半导体分立器件文字符号

本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有关技术资料。

GB/T 12560-1999半导体器件 分立器件分规范

本规范适用于除光电子器件之外的半导体分充器件。

GB/T 13965-2010仪表元器件 术语

本标准规定了仪器仪表用机械元件、弹性元件、敏感元件、机电元件、仪表电机、仪器光源及显示器件七类产品的名称、性能特性等方面的术语和定义。本标准适用于仪表元器件的生产、使用、科研和教学等方面,作为统一技术用语的依据。

GB/T 15291-2015半导体器件 第6部分:晶闸管

本部分适用于下列各类晶闸管:——(反向阻断)(三极)晶闸管;——不对称(反向阻断)(三极)晶闸管;——反向导通(三极)晶闸管;——双向三极晶闸管;——门极可关断晶闸管(GTO晶闸管)。本部分不适用晶闸管浪涌抑制器和双向二极晶闸管。

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