晶硅材料检测

晶硅材料检测项目报价？  解决方案？  检测周期？  样品要求？

点 击 解 答

GB/T 1557-2018硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω?cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω?cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量(原子数)测试范围从1×10<上标16> cm<上标-3>到硅中间隙氧的大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0.5×10<上标15> cm<上标-3>到硅中间隙氧的大固溶度。

GB/T 2296-2001太阳电池型号命名方法

本标准规定了太阳电池（包括单体、组件、板、子方阵、方阵）型号命名方法。 本标准适用于同质结、异质结、肖特基势垒及光电化学型的太阳电池。

GB/T 2881-2014工业硅

本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)的内容。本标准适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。

GB/T 2900.5-2013电工术语 绝缘固体、液体和气体

本部分规定了电气绝缘固体、液体和气体的通用术语。包括绝缘材料与系统的电性能、物理性能、化学性能、材料工艺、特定绝缘产品等术语。本部分适用于电气绝缘固体、液体和气体。

GB/T 3191-2019铝及铝合金挤压棒材

本标准规定了铝及铝合金挤压棒材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于铝及铝合金的挤压圆棒、方棒和六角棒(以下简称“棒材”)。

GB/T 4059-2018硅多晶气氛区熔基磷检验方法

本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量(原子数)的测定，测定范围为0.01×10<上标13> cm<上标-3>~500×10<上标13> cm<上标-3>。

GB/T 4060-2018硅多晶真空区熔基硼检验方法

本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定。基硼含量(原子数)测定范围为0.01×10<上标13> cm<上标-3>~5×10<上标15> cm<上标-3>。

GB/T 4475-1995敏感元器件术语

本标准规定了敏感元器件的术语及定义，包括热（温）敏、光敏、压敏、湿敏、气敏、磁敏、力敏、离子敏、生物敏、放射线敏和纤维光学敏感元器件11个部分。 本标准适用于敏感元器件的生产、使用、科研和教学等方面，作为统一技术用语的依据。

GB/T 4774-2013过滤与分离 名词术语

本标准规定了连续相为液相的过滤与分离过程基础及相关设备的构造、性能通用术语。本标准适用于液固分离原理与过程,物料性质,预处理技术(包括增浓、澄清、沉降、气浮、凝聚与絮凝、助滤技术等),过滤介质,后处理技术(包括洗涤,脱液等),膜过程;以及离心机,分离机,离心萃取设备,过滤机,压榨过滤设备,过滤器,膜过滤,气浮设备,旋流器等机械、设备与零部件及有关操作过程控制、机械结构等的设计、生产;也适用于过滤与分离过程与设备的科研、教学等领域。本标准不包括实验室用离心机及气体过滤器。

GB/T 6492-1986航天用标准太阳电池

本标准适用于单晶硅太阳电池。供测试航天用硅太阳电池的单体、组件、组合板、方阵时，校准或确定测试光源在被测太阳电池表面所建立的总辐照度用。

GB/T 6495.10-2012光伏器件.第10部分:线性特性测量方法

GB/T 6495的本部分规定了以测试参数来确定光伏器件的任意参数的线性特性程序,主要供校准实验室、组件生产厂家和系统设计者使用。 通过采用线性方程可以实现对光伏组件和系统特性的评价,也可实现从一组温度、辐照度条件下的特性推算出另一组条件下的特性(见GB/T 6495.4和GB/T 18210)。本部分制定了确保线性方程得到满意结果的线性特性要求和测试方法。这些要求限定了可以应用该线性方程的温度及辐照度的变化范围。 本部分描述的测量方法适用于所有的光伏器件,且可以推广应用于在同样技术下的样品或可比较器件上。其应在线性器件所需的全部测试和修正程序之前使用。本部分所用的方法与GB/T 6495.4中确定的线性函数类似,此线性(直线)函数是采用小二乘拟合计算法拟合一组数据点得到的。来自这一函数的数据变化也可以计算出来,并将线性度的偏差用允许的变化百分比来表示。 当满足下述所关注的温度与辐照度范围条件时,才考虑一个光伏器件的线性特性。典型的小温度范围在25℃～60℃,小辐照度范围在700W·m-2～1000W·m-2。 a) 对于相对于辐照度变化的短路电流曲线,归一化斜率标准偏差(σS/m)小于0.02; b) 对于相对于辐照度对数变化的开路电压曲线,归一化斜率标准偏差(σS/m)小于0.05; c) 对于相对于温度变化的开路电压和短路电流曲线,归一化斜率标准偏差(σS/m)小于0.1; d) 在特定电压下的一定波长范围的相对光谱响应变化小于5%。 对这些和其他性能参数,确定它们的线性特性的通用程序在第4章～第6章中。

GB/T 6565-2015职业分类与代码

本标准规定了我国职业的分类结构、类别、代码及说明。本标准适用于按职业分类的各种普查、调查统计及行政管理和国内外信息交流等。

GB/T 6619-2009硅片弯曲度测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片弯曲度的接触式测量方法。本标准适用于测量直径不小于25mm,厚度为不小于180μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

GB/T 6620-2009硅片翘曲度非接触式测试方法

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50mm,厚度大于180μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。

GB/T 6621-2009硅片表面平整度测试方法

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参照此方法。本标准适用于测量标准直径76mm,100mm,125mm,150mm,200mm,电阻率不大于200Ω•cm厚度不大于1000μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

GB/T 6624-2009硅抛光片表面质量目测检验方法

本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片表面质量的方法。本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。

GB/T 8411.1-2008陶瓷和玻璃绝缘材料.第1部分：定义和分类

GB／T 8411的本部分适用于电绝缘用陶瓷、玻璃陶瓷、玻璃一云母和玻璃材料，本部分给出所用术语的定义，并按化学成分、品质特性及应用范围将不同类型的材料以列表方式按组分类。

GB/T 9532-2012压电单晶材料型号命名方法

本标准规定了声表面波和声体波器件用压电单晶硅材料型号命名方法。本标准适用于声表面波和声体波器件用压电单晶材料型号命名方法。本标准不适用于人造石英晶体材料型号命名方法。

GB/T 10067.410-2014电热装置基本技术条件 第410部分:单晶炉

GB/T 10067的本部分规定了对TDR晶体炉的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。本部分适用于直拉法拉制半导体硅、锗等单晶的单晶炉。

GB/T 10067.414-2018电热和电磁处理装置基本技术条件 第414部分:工业宝石炉

GB/T 10067的本部分规定了工业宝石炉的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存及订购与供货。本部分适用于高真空或在保护气氛低正压条件下采用不同长晶方法(如提拉法、泡生法、导模法、热交换法、温度梯度法、坩埚下降法等)生长宝石晶体的工业宝石炉，其他工业宝石炉也可参照使用。