芯片检测

芯片检测项目报价？  解决方案？  检测周期？  样品要求？

点 击 解 答

GB/T 2036-1994印制电路术语

本标准规定了印制电路技术的常用术语及其定义。 本标准适用于印制电路用基材、印制电路设计与制造、检测与印制板装联及有关领域。

GB/T 2424.17-2008电工电子产品环境试验.第2部分:试验方法.试验T:锡焊试验导则

GB/T 2424的本部分参考GB/T 2423.28-2005，GB/T 2423.32-2008和IEC 60068-2-58:1989，为规范编写者提供背景资料和建议。

GB/T 2900.32-1994电工术语 电力半导体器件

本标准规定了电力半导体器件的专用术语。 本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译手册、教材及书刊。

GB/T 2900.33-2004电工术语 电力电子技术

GB／T 2900的本部分规定了电力电子技术领域的术语及其定义，适用于电力电子技术的标准、书刊、文献、资料和技术活动。

GB/T 2900.39-2009电工术语.电机、变压器专用设备

GB/T 2900的本部分规定了电机和变压器专用设备的术语和定义。本部分适用于与电机和变压器专用设备相关的技术领域。

GB/T 2900.66-2004电工术语 半导体器件和集成电路

GB／T 2900的本部分界定了半导体技术、半导体设计和半导体类型的通用术语。

GB/T 3859.1-2013半导体变流器 通用要求和电网换相变流器 第1-1部分：基本要求规范

GBT 3859的本部分规定了使用可控和(或)不可控电子阀器件的所有半导体电力变流器和半导体电力开关的性能。电子阀器件主要有半导体器件,包括不可控器件(即整流二极管)和可控器件(即各种晶闸管和功率晶体管)。可控器件可反向阻断或反向导通,可借助电流、电压或光控制。假设非双稳器件在开关状态下工作。本部分主要从总体上规定对变流器的基本要求,以及适用于把交流电变换为直流电或把直流电变换为交流电的电网换相变流器的要求。假如其他类型的电力电子变流器尚无产品标准,本部分的内容也适用。这些特定的要求适用于进行功率变换、换相(例如:半导体自换相变流器)或特殊用途(例如:直流电动机传动用半导体变流器 )的半导体电力变流器,或已知特性的组合(例如:电传动机车车辆用直接直流变流器)。本部分适用于未被专用产品标准涵盖或特殊性能未被专用产品标准涵盖的所有电力变流器。电力变流器的专用产品标准应参考本部分。

GB/T 3859.4-2004半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器

本部分适用于电力变流器中至少有一部分是自换相型的所有类型半导体自换相变流器。例如：交流变流器，间接直流变流器，直接直流变流器。 GB／T 3859．1中的要求，只要不与本部分相矛盾，也同样适用于自换相变流器。对于某些特殊应用，如不间断电源设备(UPS)，交、直流调速传动和电气牵引设备，可使用另外的标准。 注：试验限制可适用于特殊应用，如大功率无功变流器。

GB/T 3917.2-2009纺织品.织物撕破性能.第2部分:裤形试样(单缝)撕破强力的测定

GB/T 3917的本部分规定了用单缝隙裤形试样法测定织物撕破强力的方法。在撕破强力的方向上测量织物从初始的单缝隙切口撕裂到规定长度所需要的力。本部分主要适用于机织物，也可适用于其他技术方法制造的织物，如非织造布等。本部分不适用于针织物、机织弹性织物以及有可能产生撕裂转移的稀疏织物和具有较高各向异性的织物。本部分规定使用等速伸长（CRE）试验仪。

GB/T 3917.4-2009纺织品.织物撕破性能.第4部分:舌形试样(双缝)撕破强力的测定

GB/T 3917的本部分规定了用双缝隙舌形试样法测定织物撕破强力的方法。在撕破强力的方向上测量织物从初始的双缝隙切口撕裂到规定长度所需要的力。本部分主要适用于机织物，也可适用于其他技术方法制造的织物，如非织造布等。本部分不适用于针织物、机织弹性织物。本部分规定使用等速伸长（CRE）试验仪。

GB/T 3917.5-2009纺织品.织物撕破性能.第5部分:翼形试样(单缝)撕破强力的测定

GB/T 3917的本部分规定了用单缝隙翼形试样法测定织物撕破强力的方法。将具有两翼的试样，按与纱线成规定的角度夹持，测量由初始切口扩展而产生的撕破强力。本部分主要适用于机织物，也可适用于一些其他技术生产的织物，试验时由于夹持试样的两翼倾斜于被撕裂纱线的方向，所以试验过程中多数织物不会产生力的转移，而且与其他撕破方法相比，本方法更不容易发生纱线脱落。本部分不适用于针织物、机织弹性织物及非织类产品，这类织物一般用梯形法进行测试。本部分规定使用等速伸长（CRE）试验仪。

GB/T 4023-2015半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

本部分给出下列各类或各分类器件的标准：整流二极管包括：——雪崩整流二极管；——可控雪崩整流二极管；——快开关整流二极管。

GB/T 4475-1995敏感元器件术语

本标准规定了敏感元器件的术语及定义，包括热（温）敏、光敏、压敏、湿敏、气敏、磁敏、力敏、离子敏、生物敏、放射线敏和纤维光学敏感元器件11个部分。 本标准适用于敏感元器件的生产、使用、科研和教学等方面，作为统一技术用语的依据。

GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范

本规范构成电工委员会电子元器件质量评定体系（IECQ）的一部分。 本规范是半导体器件（分立器件和集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路）的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序，并给出了下述方面的总原则： ——电特性测试方法； ——气候和机械试验； ——耐久性试验。

GB/T 4937.1-2006半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分:总则

本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时，以详细规范为准。

GB/T 4937.2-2006半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压

本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过100OV 的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。 本项低气压试验方法和IEC60068-2-13大体上一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，使用本部分条款。

GB/T 4937.3-2012半导体器件.机械和气候试验方法.第3部分：外部目检

GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验，适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。

GB/T 4937.4-2012半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）

GB/T 4937的本部分过电流强加速稳态湿热试验（HAST）方法，用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。

GB/T 4937.11-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液槽法

GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化——双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气-空气温度循环又可以采用快速温度变化——双液槽法试验时，优先采用空气-空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次~10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明，本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

GB/T 4937.12-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动

GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内，振动对器件的影响。本试验是破坏性试验，通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。