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电工电子产品及电子元器件检测项目报价? 解决方案? 检测周期? 样品要求? |
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1.1 目的用于的确元器件、设备和其他电工电子产品(以下简称“样品”)经受稳态加速度环境所产生的力(重力除外),如运行的车辆、空中运载工具、旋转机械和抛射体所产生的力的作用下,结构的适应性和性能是否良好,以及评定一些元器件结构完好性。1.2 一般说明安装在运动体内的样品将经受到稳态加速度所产生的力,虽然在某些情况下,地面运输工具的加速度也是相当大的。然而,这种环境在空中运载工具及转动机械内为明显。一般说来,样品在使用时所经受到的加速度值沿运动体的每一主轴线是不同的。此外,在每一主轴线相反的两个方向加速度值往往也不相同。如果样品的方位相对于运动体不是确定的,有关规范在考虑了运动体在不同轴上的大加速度值后,规定样品的每一主轴线的两个相反方向的稳态加速度等级。
GB/T 2423的本部分适用于可能受到下述试验情况的所有电气和电子元器件。
GB/T 2423的本部分适用于在规定的温度下、规定的时间内,将试验样品浸渍在清洗溶剂中的试验。如果有关规范有要求,在浸渍和干燥以后试验样品应该用脱脂棉或薄卷纸擦拭。本试验的导则见附录A。
GB/T 2423的本部分适用于在正常装配或修理过程中其引出端或整体安装件可能受到应力的所有电工电子元器件。
本部分供制定电工电子产品或设备标准时,对产品以及特殊场合选用适当的试验方法和严酷等级之用。 湿热试验主要用于确定电工电子产品对高湿度环境的适应能力(不论是否出现凝露),特别是产品的电气性能和机械性能的变化,也可用于检查试验样品耐受某些腐蚀的能力。
GB/T 2424的本部分参考GB/T 2423.28-2005,GB/T 2423.32-2008和IEC 60068-2-58:1989,为规范编写者提供背景资料和建议。
本标准规定了频率控制和选择压电元件用人造石英晶体原晶和制材的术语和定义、技术要求、测量方法、检验规则及使用指南。 本标准适用于制造频率控制和选择压电元件用人造石英晶体。
GB 4706.1-2005的该章用下述内容代替:本部分涉及单相额定电压不超过250V,其他额定电压不超过480V的家用和类似用途的电击动物设备的安全。非家用但对公众来说仍可能造成危险的器具,例如打算在工业、商店和农场或其他可能对公众安全产生危险的范围内使用的器具,也包括在本部分的范围内。本部分所涉及的上述器具存在的普通危险。
本标准规定了全社会经济活动的分类与代码。本标准适用于在统计、计划、财政、税收、工商等宏观管理中,对经济活动的分类,并用于信息处理和信息交换。
GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化——双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气-空气温度循环又可以采用快速温度变化——双液槽法试验时,优先采用空气-空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次~10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明,本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内,振动对器件的影响。本试验是破坏性试验,通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。本试验是破坏性试验。本试验总体上符合IEC 60068-2-11,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法,以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。为制定具有可重复性的标准试验程序,选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力,要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。本试验为破坏性试验,可以用于鉴定、批接收及产品检验。本试验与IEC 60068-2-20基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。
本标准规定了电子元器件结构陶瓷的种类、级别、技术指标要求、试验方法和检验规则。本标准适用于电子元器件用结构陶瓷材料。
本标准规定了电容器用陶瓷介质材料的分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于制造电容器用陶瓷介质材料(以下简称电容器瓷料)。
本规范适用于电子设备用固定电阻器。 本规范规定了适用于电子元器件质量评定或其他用途的分规范及详细规范中使用的标准术语、检验程序和试验方法。
本空白详细规范规定了制定高低频放大环境额定的双极型晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10:1984)和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》(IEC 747.11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。
本规范规定了空间电荷控制电子管的质量评定程序,给出了该类电子管的电性能、机械、环境等试验要求及相应的测试方法和试验方法。 本规范适用于各种型号的空间电荷控制电子管(以下简称电子管或产品)。
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