场效应晶体管增强型检测

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GB/T 2900.66-2004电工术语 半导体器件和集成电路

GB／T 2900的本部分界定了半导体技术、半导体设计和半导体类型的通用术语。

GB/T 4586-1994半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

通常，本标准需要与IEC 747-1-1983《半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分：总则》一起使用。在IEC 747-1中，可找到下列的全部基础资料： --术语； --文字符号； --基本额定值和特性； --测试方法；

GB/T 6219-1998半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。

GB/T 11499-2001半导体分立器件文字符号

本标准规定了半导体分立器件主要的文字符号。本标准适用于编写半导体分立器件有关标准和有关技术资料。

GB/T 15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范

本空白详细规范规定了制订管壳额定开头用场效应晶体详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

GB/T 21039.1-2007半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列标准一起使用。