锗检测

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GB/T 1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法

本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果；对于导电类型不均匀的材料，可在其表面上测出不同导电类型区域。本标准不适用于分层结构材料(如外延片)导电类型的测试。

GB/T 1553-2023硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法

本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减-脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的短寿命值为50 μs，测试锗单晶短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的短寿命值为10 μs。

GB/T 1555-2023半导体单晶晶向测定方法

本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

GB/T 2296-2001太阳电池型号命名方法

本标准规定了太阳电池（包括单体、组件、板、子方阵、方阵）型号命名方法。 本标准适用于同质结、异质结、肖特基势垒及光电化学型的太阳电池。

GB/T 3049-2006工业用化工产品 铁含量测定的通用方法1，10 菲啰啉分光光度法

本标准规定了测定化工产品中铁含量测定的通用方法1,10-菲啰啉分光光度法。 本标准描述了溶液中铁含量的测定技术。在制备试验溶液时，应参考与所分析产品有关的标准对本方法进行必要的修改使其适合产品的测定。

GB/T 3147-2006信息处理未穿孔纸带

本标准规定了信息处理未穿孔纸带分类、要求、试验方法、抽样、标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于办公、邮电、通讯等信息处理用纸。

GB/T 3253.4-2009锑及三氧化二锑化学分析方法.锑中硫量的测定.燃烧中和法

GB/T 3253的本部分规定了锑中硫量的测定方法。本部分适用于锑中硫量的测定。测定范围：0.0020%~0.10%。

GB/T 4326-2006非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达10<上标4>Ω•cm半导体单晶材料的测试。

GB/T 4475-1995敏感元器件术语

本标准规定了敏感元器件的术语及定义，包括热（温）敏、光敏、压敏、湿敏、气敏、磁敏、力敏、离子敏、生物敏、放射线敏和纤维光学敏感元器件11个部分。 本标准适用于敏感元器件的生产、使用、科研和教学等方面，作为统一技术用语的依据。

GB/T 4960.6-2008核科学技术术语.第6部分：核仪器仪表

GB/T 4960的本部分规定了核辐射探测器、通用核仪器、核设施仪表和控制、辐射防护仪器及核辐射应用仪器等核仪器的基本术语和定义。本部分适用于有关核仪器标准、合同、报告和技术规格书等技术文件的编写，文献翻译以及技术交流等。

GB/T 5009.127-2003食品包装用聚酯树脂及其成型品中锗的测定

本标准规定了经四氯化碳萃取、苯芴酮络合分光光度法测定锗。 本标准适用于食品包装用聚酯树脂及其成型品中锗的测定。 本方法的检出限为0.020μg/mL。

GB/T 5009.151-2003食品中锗的测定

本方法规定了采用氢化物发生原子荧光光谱分析技术测定锗的分析方法。 本方法适用于各类食品中锗的测定及保健饮品中锗-132和无机锗的分别测定。 本方法检出限为3.5 ng/mL；标准曲线线性范围为0ng/mL～100ng/mL。测定试样中总锗时，方法回收率为84.0％～93.2%。测定保健饮品中锗-132和无机锗时，方法回收率为94.6％～103.4％。

GB/T 5009.171-2003保健食品中超氧化物歧化酶(SOD)活性的测定

本标准规定了食品中超氧化物歧化酶（SOD）活性的测定方法。 本标准适用于各类食品中超氧化物歧化酶（SOD）活性的测定。 本方法第一法检出限1.17U/mL；第二法检出限0.033U/mL。

GB 5009.268-2016食品安全标准 食品中多元素的测定

本标准规定了食品中多元素测定的电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)和电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)。第一法适用于食品中硼、钠、镁、铝、钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、硒、锶、钼、镉、锡、锑、钡、汞、铊、铅的测定；第二法适用于食品中铝、硼、钡、钙、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、磷、锶、钛、钒、锌的测定。

GB/T 5238-2019锗单晶和锗单晶片

本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。

GB/T 5252-2020锗单晶位错密度的测试方法

本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。本标准适用于{111}、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm<上标-2>~100 000 cm<上标-2>。

GB/T 6163-2011调频广播接收机测量方法

本标准规定了调频广播接收机的测量方法。本标准适用于工作频率为87 MHz～108 MHz的单声和立体声调调频广播接收机（包括调谐器、汽车收音机、组合机中的调频收音部分；以及专用调频广播接收机—以上统称接收机）进行电声性能测量的标准测量方法。

GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围：10<上标-3>Ω·cm～10<上标2> Ω·cm。

GB/T 7167-2008锗γ射线探测器测试方法

本标准规定了锗γ射线探测器的性能测试方法。本标准适用于高纯锗γ射线探测器的性能测试，也适用于高纯锗X射线探测器和锗（锂）探测器的性能测试。

GB/T 7497.1-2008微处理器系统总线.8位及16位数据(MULTIBUS I) 第1部分: 电气与定时规范的功能描述

本标准适用于互连的数据处理、数据存储和外围控制设备等紧耦合配置的接口系统部件。本接口系统具有允许各种系统部件交互作用所必须的信号,它允许存储器和I/O的数据传送、直接存储器存取、中断产生等。本标准对构成该系统总线的所有要素及特性均提供详细描述。本标准是为那些想要评价或设计与本系统总线结构兼容产品的用户制定的。为此,本部分详细的说明了必要的信号定义、定时以及电气规范。本标准仅涉及微型计算机设备的接口特性,而不涉及模块的设计规范、性能要求和安全要求。