硅外延片检测
GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB／T 12964、GB／T 12965、GB／T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。
GB/T 12964-2018硅单晶拋光片
本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底。
GB/T 14015-1992硅-兰宝石外延片
本标准规定了蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片的技术要求、测试方法、检验规则。 本标准适用于半导体器件用蓝宝石衬底上生长的单晶硅外延片。
GB/T 14139-2019硅外延片
本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。
GB/T 14142-2017硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 μm，缺陷密度的测试范围0~10 000 cm<上标-2>。
GB/T 14146-2021硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
本文件规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4×10<上标13> cm<上标-3>~8×10<上标16> cm<上标-3>，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行，其中无接触电容-电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
GB/T 14264-2009半导体材料术语
本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。本标准适用于元素和化合物半导体材料。
GB/T 14844-2018半导体材料牌号表示方法
本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照执行。
GB/T 16595-2019晶片通用网格规范
本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。本标准适用于标称直径100 mm~200 mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片。
GB/T 19921-2018硅拋光片表面颗粒测试方法
本标准规定了应用扫描表面检查系统对抛光片、外延片等镜面晶片表面的局部光散射体进行测试，对局部光散射体与延伸光散射体、散射光与反射光进行区分、识别和测试的方法。针对130 nm~11 nm线宽工艺用硅片，本标准提供了扫描表面检查系统的设置。本标准适用于使用扫描表面检查系统对硅抛光片和外延片的表面局部光散射体进行检测、计数及分类，也适用于对硅抛光片和外延片表面的划伤、晶体原生凹坑进行检测、计数及分类，对硅抛光片和外延片表面的桔皮、波纹、雾以及外延片的棱锥、乳突等缺陷进行观测和识别。本标准同样适用于锗抛光片、化合物抛光片等镜面晶片表面局部光散射体的测试。
GB/T 30453-2013硅材料原生缺陷图谱
本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。
GB/T 32279-2015硅片订货单格式输入规范
本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式，其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。
GB/T 35310-2017200 mm硅外延片
本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。
GB/T 39145-2020硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定，测定范围为10<上标8> cm<上标-2>~10<上标13> cm<上标-2>。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。
GB/T 42902-2023碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
SJ/T 207.3-2018设计文件管理制度 第3部分:文字内容和表格形式设计文件的编制方法
SJ/T 207的本部分规定了电子信息产品文字内容和表格形式设计文件的编制方法。本部分适用于电子信息产品文字内容和表格形式设计文件的编制，也适用于设计文件中产品的图样、简图的文字内容。其他行业产品的设计文件可参照采用。
SJ 2593-1985高纯四氯化硅
本标准适用于生长半导体器件及集成电路的硅外延片和生产光通讯器什川光纤予制件的四氯化硅。
SJ 2595-1985高纯四氯化硅中痕量磷的分光光度比色测试方法
本方法适用于生长半导体器件及电路用硅外延片、多晶硅和光通讯器件用光纤予制件的高纯四氯化硅中磷含量的测试方法。
SJ 20514A-2018微波功率晶体管用硅外延片规范
本规范规定了微波功率晶体管用硅外延片(以下简称外延片)的要求、质量保证规定、交货准备和说明事项。本规范适用于微波功率晶体管用直径为76.2 mm~200 mm的同质外延片的设计、制造、检验，其它半导体分立器件同质外延片也可参照执行。
SJ 21493-2018碳化硅外延片表面缺陷测试方法
本标准规定了碳化硅外延片表面缺陷密度的光学测试方法。本标准适用于在4H晶型碳化硅衬底上生长了同质外延层的外延片的表面缺陷密度测试，样品表面法线方向为［0001］方向，且其偏离角度不应大于8°。
