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太阳能级单晶硅检测项目报价? 解决方案? 检测周期? 样品要求? |
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本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。
本标准规定了太阳能电池用多晶硅片(以下简称硅片)的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片(包括类单晶硅片)。
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。
本标准规定了硅材料的仪器中子活化分析测试方法。本标准适用于化学气相沉积法或冶金提纯方法生产的硅材料的仪器中子活化分析。分析样品可以是单晶硅、多晶硅,而多晶硅的形态可以是粉末、颗粒、块状或硅片。本标准适用于材料的宏观成分分析。如按本测试方法进行额外的样品制备,并在样品抽取、传送和制备过程中避免表面污染,也可实现样品的表面或近表面区域分析。本测试方法仅适用于附录A中所列痕量元素的热中子或超热中子活化分析。本测试方法不适用于非晶硅薄膜、多晶硅薄膜或微晶硅薄膜的分析。对于受到人为掺杂高浓度特殊元素的硅样品,也不属于本测试方法适用范围,但在检查过掺杂对安全、检测限和小等待时间t<下标w0>的影响之后,该测试方法还是可能适用。本测试方法用于分析大范围的痕量元素(见附录A)。通常,样品的辐照时间应比<上标31>Si的衰变寿命长,而且应等辐照生成的<上标31>Si充分地衰变之后才能实施分析。
本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓(Ga)等元素的测定范围为5 μg/kg~50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。
1.0.1为规范电子工程建设的基本术语及其定义,实现术语标准化,制定本标准。1.0.2本标准适用于电子工程建设的规划、咨询、设计、工程监理、工程管理等工程服务以及教学、科研及其他相关领域。1.0.3电子工程建设文件、图纸、科技文献使用的术语,除应符合本标准外,尚应符合现行有关标准的规定。
本标准规定了单晶硅生长用石英坩埚(以下简称石英坩埚)的术语和定义、分类和标记、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。本标准适用于用高纯石英砂做原料,采用电弧法工艺生产,应用于直拉法生长单晶硅材料的石英坩埚。
本文件规定了光伏用直拉单晶炉(以下简称单晶炉)的术语定义、规格型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、本文件适用于采用软轴直拉法进行太阳能级8英寸和12英寸单晶硅生长的单晶炉。
本标准规定了再生硅料的技术条件及分类、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存、订货单等。本标准适用于从生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的硅料,来源包括用于生产太阳能级硅晶体的除过碳的碳极多晶硅(碳头料)、晶体硅头尾料、边皮料、埚底料、晶体硅样块、原生型废硅片等。
本标准规定了硅单晶和硅单晶片单位产品能源消耗(以下简称能耗)限额的要求、计算原则、计算范围、计算方法和节能管理与措施。本标准适用于硅单晶,包括半导体级硅单晶、太阳能级硅单晶;硅单晶片,包括半导体器件用硅单晶片和光伏太阳能电池用硅单晶片(以下统称硅片)生产企业产品能耗的计算、考核以及对新建项目的能耗控制。
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