砷化镓检测

发布时间：2024-06-21 作者：中析研究所浏览：

GB/T 1555-2023半导体单晶晶向测定方法

本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

GB/T 2296-2001太阳电池型号命名方法

本标准规定了太阳电池（包括单体、组件、板、子方阵、方阵）型号命名方法。本标准适用于同质结、异质结、肖特基势垒及光电化学型的太阳电池。

GB/T 4326-2006非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达10<上标4>Ω•cm半导体单晶材料的测试。

GB/T 4475-1995敏感元器件术语

本标准规定了敏感元器件的术语及定义，包括热（温）敏、光敏、压敏、湿敏、气敏、磁敏、力敏、离子敏、生物敏、放射线敏和纤维光学敏感元器件11个部分。本标准适用于敏感元器件的生产、使用、科研和教学等方面，作为统一技术用语的依据。

GB/T 4960.6-2008核科学技术术语.第6部分：核仪器仪表

GB/T 4960的本部分规定了核辐射探测器、通用核仪器、核设施仪表和控制、辐射防护仪器及核辐射应用仪器等核仪器的基本术语和定义。本部分适用于有关核仪器标准、合同、报告和技术规格书等技术文件的编写，文献翻译以及技术交流等。

GB/T 5295-2012光阴极光谱响应特性系列

本标准规定了光阴极光谱响应特性的命名方法，并给出了光阴极光谱响应特性系列。本标准适用于光敏管、图像管、摄像管等电子管的光阴极。

GB/T 6494-2017航天用太阳电池电性能测试方法

本标准规定了航天用太阳电池在地面模拟光源下电性能测试的要求和方法。本标准适用于航天用太阳电池的电性能测试，包括单晶硅太阳电池、单结和多结砷化镓太阳电池(包括GaInP<下标2>/GaAs/Ge三结太阳电池、GaInP<下标2>/GaAs/In<下标0.3>Ga<下标0.7>As三结太阳电池和GaInP<下标2>/GaAs/In<下标0.3>Ga<下标0.7>As/In<下标0.58>Ga<下标0.42>As四结太阳电池等)。

GB/T 6496-2017航天用太阳电池标定方法

本标准规定了采用地面直接阳光方法进行航天用一级标准太阳电池标定的标定原理、仪器设备、测试系统和程序等。本标准适用于航天用单晶硅、单结砷化镓一级标准太阳电池以及航天用多结砷化镓太阳电池相应的一级标准子太阳电池的标定、其他类型航天用标准太阳电池，地面用标准太阳电池的标定可参照执行。

GB/T 6616-2023半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法

本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm~1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 ?·cm~200 ?·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×10<上标3> ?/□~3.0×10<上标3> ?/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。