塑封半导体集成电路检测

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GB/T 2423.40-2013环境试验 第2部分:试验方法 试验Cx:未饱和高压蒸汽恒定湿热

GB/T 2423的本部分规定了一种以加速方式评定小型电工电子产品(主要是非气密元件)耐湿热劣化效应的标准试验方法。本试验不适用于评定如腐蚀和变形等外部效应。

GB/T 2423.50-2012环境试验 第2部分：试验方法 试验Cy: 恒定湿热 主要用于元件的加速试验

GB/T 2423的本部分规定了一种以加速方式评价小型电工电子产品(主要是非气密元件)耐湿热劣化效应的试验方法。本试验不适用于评价诸如腐蚀和变形等外部效应。

GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范

本规范构成电工委员会电子元器件质量评定体系（IECQ）的一部分。 本规范是半导体器件（分立器件和集成电路，包括多片集成电路，但不包括混合电路）的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序，并给出了下述方面的总原则： ——电特性测试方法； ——气候和机械试验； ——耐久性试验。

GB/T 4937.1-2006半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分:总则

本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时，以详细规范为准。

GB/T 4937.11-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液槽法

GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化——双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气-空气温度循环又可以采用快速温度变化——双液槽法试验时，优先采用空气-空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次~10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明，本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

GB/T 4937.12-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动

GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内，振动对器件的影响。本试验是破坏性试验，通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

GB/T 4937.13-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾

GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法，以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。本试验是破坏性试验。本试验总体上符合IEC 60068-2-11，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

GB/T 4937.14-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度(引线牢固性)

GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法，用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲，为了重新装配对引线再成型加工时，进行此项试验。对于气密封装器件，建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验，以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。本部分的每一个试验条件，都是破坏性的，仅适用于鉴定试验。本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。

GB/T 4937.15-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分:通孔安装器件的耐焊接热

GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法，以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。为制定具有可重复性的标准试验程序，选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力，要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。本试验为破坏性试验，可以用于鉴定、批接收及产品检验。本试验与IEC 60068-2-20基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。

GB/T 4937.17-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照

GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下：a)　检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；b)　确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内(见第4章)。

GB/T 4937.18-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分:电离辐射(总剂量)

GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行<上标60>Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照，并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化，因而被认为是破坏性试验。

GB/T 4937.19-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分:芯片剪切强度

GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装，也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm<上标2>的芯片，以及倒装芯片和易弯曲基板。

GB/T 4937.20-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。

GB/T 4937.21-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性

GB/T 4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序，以及可选的SMDs板级安装可焊性试验程序，用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程。本试验方法也规定了老化条件，该条件为可选。除有关文件另有规定外，本试验属于破坏性试验。

GB/T 4937.22-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度

GB/T 4937的本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。

GB/T 4937.30-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

GB/T 4937的本部分规定了非密封表面安装器件(SMDs)在可靠性试验前预处理的标准程序。本部分规定了SMDs的预处理流程。SMDs在进行规定的室内可靠性试验(鉴定/可靠性监测)前，需按本部分所规定的流程进行适当的预处理，以评估器件的长期可靠性(受焊接应力的影响)。

GB/T 4937.201-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输

GB/T 4937的本部分适用于采用再流焊工艺和暴露于大气环境中的所有非气密封装表面安装器件(SMD)。本部分的目的是为SMD承制方和用户提供按照IEC 60749-20中规定进行等级分类的潮湿、再流焊敏感的SMDs的操作、包装、运输和使用的标准方法。提供的这些方法是为了避免因吸收湿气和暴露于再流焊的高温下造成的损伤，这些损伤会造成成品率和可靠性的降低。通过这些程序的应用，实现安全无损的再流焊，元器件通过干燥包装，提供从密封之日起保存于密封干燥袋内的包装内寿命。IEC 60749-20耐焊接热试验中规定了两种水汽浸渍试验方法，方法A和方法B。方法A，是在假设防潮袋内相对湿度小于30%的前提下规定的。方法B，是在假设承制方暴露时间(MET)不超过24 h，且防潮袋内相对湿度小于10%的前提下规定的。在实际操作环境中，使用方法A的SMDs允许吸收湿气达到30%RH，使用方法B的SMDs允许吸收湿气达到10%RH。本部分规定了在上述试验条件下SMDs的操作条件。

GB/T 14112-2015半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范

本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。

GB/T 14113-1993半导体集成电路封装术语

本标准规定了半导体集成电路封装在生产制造、工程应用和产品交验等方面使用的基本术语。 本标准适用于与半导体集成电路封装相关的生产、科研、教学和贸易等方面的应用。

GB/T 14663-2007塑封模技术条件

本标准规定了塑封模的要求、验收、标志、包装和运输。 本标准适用于集成电路和（半导体）分立元器件等塑料封装模具的设计、制造和验收。