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二次离子质谱(SIMS)

发布日期: 2024-06-21 17:34:53 - 更新时间:2024年06月29日 15:22

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  标准分类中,sims涉及到分析化学、光学和光学测量、微生物学、半导体材料、医疗设备。

  在中国标准分类中,sims涉及到基础标准与通用方法、化学、半金属与半导体材料综合、基础标准与通用方法、基础学科综合、一般与显微外科器械、轻金属及其合金分析方法、基础标准与通用方法、光学计量仪器。

  日本工业标准调查会,关于sims的标准

  JIS K0169-2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法

  JIS K0169-2012 表面化学分析.二次离子质谱(SIMS).带多重亚铅层对照物的深度分辨率参数估算方法

  美国材料与试验协会,关于sims的标准

  ASTM E1880-2012 用次级离子质谱法 (SIMS) 进行组织低温截面分析的标准实施规程

  ASTM E1881-2012 用次级离子质谱法 (SIMS) 对细胞培养分析的标准指南

  ASTM E1162-2011 报告次级离子质谱分析法(SIMS)中溅深深度文件数据的标准操作规程

  ASTM E1438-2011 使用SIMS测量溅镀深度剖面接口宽度的标准指南

  ASTM E1881-2006 用次级离子质谱法(SIMS)进行细胞培养分析的标准指南

  ASTM E1880-2006 用次级离子质谱法(SIMS)进行组织低温截面分析的标准实施规程

  ASTM E1635-2006(2011) 次级离子质谱法(SIMS)成像数据报告标准规程

  ASTM E1438-2006 用次级离子质谱法(SIMS)测量深度掺杂分布界面宽度标准指南

  ASTM E1504-2006 次级离子质谱法(SIMS)中质谱数据报告的标准实施规程

  ASTM E1635-2006 报告次级离子质谱法(SIMS)成像数据用标准实施规程

  ASTM E1162-2006 报告次级离子质谱法(SIMS)中溅射深度截面数据的标准实施规程

  ASTM E2426-2005 用SIMS测量同位素比率对脉冲计算系统死时间测定的标准实施规程

  ASTM F1617-1998 用次级离子质谱测定法(SIMS)测定表面钠,铝,钾-硅和EPI衬底的标准试验方法

  ASTM E1880-1997(2002) SIMS组织低温部分分析的标准操作规程

  ASTM E1881-1997 SIMS细胞培养分析的标准指南

  ASTM E1881-1997(2002) SIMS细胞培养分析的标准指南

  ASTM E1880-1997 SIMS组织低温部分分析的标准操作规程

  ASTM E1504-1992(2001) 次级离子质谱(SIMS)测定中质谱数据报告的标准规范

  ASTM E1505-1992(1996) 根据离子移植外标物测定 SIMS 有关敏感因素的标准指南

  ASTM E1504-1992(1996) 次级离子质谱(SIMS)测定中质谱数据报告的标准规范

  ASTM E1505-1992(2001) 根据离子移植外标物测定 SIMS 有关敏感因素的标准指南

  ASTM E1438-1991(2001) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度

  ASTM E1438-1991(1996) 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度

  ASTM E1162-1987(1996) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

  ASTM E1162-1987(2001) 二次离子质谱法(SIMS)中报告溅射深度截面数据

  德国标准化学会,关于sims的标准

  DIN 13133-1-2005 医疗仪器.Sims型弯形子宫剪.第1部分:不含硬质合金镶片

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