双极型晶体管检测

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JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的型号、外形尺寸、额定值、特性、试验方法和检验规则等

Insulated gate bipolar transistor

GB/T 17007-1997 绝缘栅双极型晶体管测试方法

Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor

GB/T 6218-1996 开关用双极型晶体管空白详细规范

开关用双极型晶体管空白详细规范

Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications

GOST 18604.10-1976 双极型晶体管.输入电阻测量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11

Transistors bipolar. Input resistance measurement technique

GOST 18604.26-1985 双极型晶体管.暂态参数测量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки t

Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement

TIS 1864-2009 半导体器件.第7部分:双极型晶体管

Semiconductor devices.part 7: bipolar transistors

SJ/T 10439-1993 双极型晶体管直流参数测试仪.测试方法

本标准适用于SJ/T 10438《双极型晶体管直流参数测试仪通用技术条件》所规定的性能特性的测试

Test methods for bipolar transister DC parameter testers

JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块.臂和臂对

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的臂和臂对模块的型号、外形尺寸、额定值和特性、试验方法和检验规则等

Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms

GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定高频放大管壳额定双极型晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与GB/T4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1990《半导体器件 分立器件分规范

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification

T/FSI 121-2023 绝缘栅双极型晶体管用有机硅凝胶

本文件规定了绝缘栅双极型晶体管（简称 IGBT）用有机硅凝胶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于各种IGBT模块用的双组分加成型有机硅凝胶

Silicone Gels for Insulated Gate Bipolar Transistors

GOST 18604.23-1980 双极型晶体管.组合频率系数测量方法

Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies

GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定高低频放大环境额定的双极型晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

SJ/T 10438-1993 双极型晶体管直流参数测试仪.通用技术条件

本标准适用于采用直流法、单脉冲法测试双极型晶体管直流参数的各类多参数测试仪，也适用于各类单参数的直流参数测试仪。它是直流参数测试仪产品设计、、生产和使用的共同技术依据，也是制订各种直流参数测试仪产品标准的共同技术依据

General specification for bipolar transister DC parameter testers

GOST 18604.20-1978 双极型晶体管.低频噪声系数的测量方法

Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies

GB/T 17008-1997 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号

Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor

JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的型号、外形尺寸、额定值、特性、试验方法和检验规则等

Insulated gate bipolar transistor

GB/T 17007-1997 绝缘栅双极型晶体管测试方法

Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor

GB/T 6218-1996 开关用双极型晶体管空白详细规范

开关用双极型晶体管空白详细规范

Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications

GOST 18604.10-1976 双极型晶体管.输入电阻测量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11

Transistors bipolar. Input resistance measurement technique

GOST 18604.26-1985 双极型晶体管.暂态参数测量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки t

Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement

TIS 1864-2009 半导体器件.第7部分:双极型晶体管

Semiconductor devices.part 7: bipolar transistors

SJ/T 10439-1993 双极型晶体管直流参数测试仪.测试方法

本标准适用于SJ/T 10438《双极型晶体管直流参数测试仪通用技术条件》所规定的性能特性的测试

Test methods for bipolar transister DC parameter testers

JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块.臂和臂对

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的臂和臂对模块的型号、外形尺寸、额定值和特性、试验方法和检验规则等

Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms

GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定高频放大管壳额定双极型晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与GB/T4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1990《半导体器件 分立器件分规范

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification

T/FSI 121-2023 绝缘栅双极型晶体管用有机硅凝胶

本文件规定了绝缘栅双极型晶体管（简称 IGBT）用有机硅凝胶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于各种IGBT模块用的双组分加成型有机硅凝胶

Silicone Gels for Insulated Gate Bipolar Transistors

GOST 18604.23-1980 双极型晶体管.组合频率系数测量方法

Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies

GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分;双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定高低频放大环境额定的双极型晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

SJ/T 10438-1993 双极型晶体管直流参数测试仪.通用技术条件

本标准适用于采用直流法、单脉冲法测试双极型晶体管直流参数的各类多参数测试仪，也适用于各类单参数的直流参数测试仪。它是直流参数测试仪产品设计、、生产和使用的共同技术依据，也是制订各种直流参数测试仪产品标准的共同技术依据

General specification for bipolar transister DC parameter testers

GOST 18604.20-1978 双极型晶体管.低频噪声系数的测量方法

Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies

GB/T 17008-1997 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号

Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor